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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM2301CX RFG
TSM2301CX RFG Image
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TSM2301CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM2301CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM2301CX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM2301.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5380

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Anzahl

Spezifikation

TSM2301CX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301CX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301CX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 447 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301CX RFG.

Produkteigenschaften TSM2301CX RFG TSM2303CX RFG TSM2301BCX RFG TSM210N02CX RFG
Artikelnummer TSM2301CX RFG TSM2303CX RFG TSM2301BCX RFG TSM210N02CX RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 3V @ 250µA 950mV @ 250µA 800mV @ 250µA
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 447 pF @ 6 V 565 pF @ 10 V 415 pF @ 6 V 600 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Tc) 1.3A (Ta) 2.8A (Tc) 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.8A, 4.5V 180mOhm @ 1.3A, 10V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 25mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max) 900mW (Ta) 700mW (Ta) 900mW (Ta) 1.56W (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V 3.2 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

TSM2301CX RFG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM2301CX RFG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM2301CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 14/Jul/2017.pdf
Datenblätter
TSM2301.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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